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Aluminiumnitrid-Keramiksubstrat
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12-Zoll-Aluminiumnitrid-Keramiksubstrat GaN-on-QST

Aluminum nitride ceramic GaN-on-QST
AlN ceramic on GaN-on-QST

12-Zoll-Aluminiumnitrid-Keramiksubstrat GaN-on-QST

1.Material: Aluminiumnitrid.

2. Funktion: Isolierung und Wärmeableitung aus Keramik.

3. Typ: Keramik.

4. Farbe: Grau.

5. Kann individuell angepasst werden: Ja, bitte stellen Sie Zeichnungen für bestimmte Produkte zur Verfügung.

12-Zoll-Aluminiumnitrid-Keramiksubstrat GaN-on-QST

Produktbeschreibung:

GaN-on-QST wird von Qromis Company aus den Vereinigten Staaten bereitgestellt, das als Siliziumsubstrat oder Impfkristall verwendet werden kann. 2017 arbeiteten sie mit Kyma Technologies zusammen, um das erste freistehende GaN-Substrat (4 Zoll) basierend auf der QST-Substrattechnologie herzustellen. Im Januar 2020 erhielt Qromis eine Investition von der Toyota Motor Corporation. Qromis hat diese Technologie an zwei Unternehmen lizenziert, darunter World Advanced und Shin-Etsu Chemical, die beide in diesem Jahr das Tempo der Epitaxie- und Gerätegießereiproduktion beschleunigen.

Das selbsttragende GaN-Substrat von Qromis hat drei Hauptvorteile und ist daher sehr optimistisch: ● Die Ausbeuterate von GaN-Geräten kann 90 % erreichen. ● 6-Zoll- und 8-Zoll-Substrate wurden herausgebracht, und 12-Zoll-GaN-Substrate sollen 2025 produziert werden.

6-Zoll- und 8-Zoll-Aluminiumnitrid(AlN)-Substrate sind das reguläre Produkt von Fujian Huaqing, und jetzt können wir 12-Zoll-Aluminiumnitrid(AlN)-Keramiksubstrate liefern, die als zugrunde liegendes Substrat für GaN-auf-QST-Produkte verwendet werden können.

Unsere Aluminiumnitrid-Substrate (AlN) sind in verschiedenen Größen und Dicken erhältlich. Dank eines großen und aktiven Lagerbestands können wir Ihr Teil schnell versenden, damit Sie Ihr Projekt starten können.

Unser Service:
Bitte kontaktieren Sie uns für die Anpassung. Wir können auch Keramik aus Aluminiumnitrid (AlN) mit einer Wärmeleitfähigkeit von bis zu 230 W/mK liefern

Spezifikation:

Abmessung (LxB)φ12 Zoll
Dicke 1,0 mm
Wärmeleitfähigkeit170W/m.K
Dielektrizitätskonstante8-9 (MHz)
Schüttdichte3,3 g/cm³
OberflächenrauheitRa: 0,03–0,6 μm auf beiden Seiten

Firmenvorteil:

Huaqing Gegründet im Jahr 2004 mit einer Investitionssumme von 80 Millionen RMB und einem Stammkapital von 40 Millionen RMB. Die AlN- und Al2O3-Keramikprodukte von Huaqing haben eine hohe Wärmeleitfähigkeit, eine niedrige Dielektrizitätskonstante, einen guten Verlustfaktor und hervorragende mechanische Eigenschaften im Vergleich zu anderen Fabriken in der Branche. AlN- und Al2O3-Keramik werden häufig in HBLED, Optokommunikation, IGBT, Leistungsgeräten, TEC und anderen High-End-Anwendungen verwendet.

Werkstattausrüstung:

Verpackung & Lieferung:
Liefern durch UPS, DHL, Fedex etc

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