Keramisches Aluminiumnitrid-Direktbonden von Wafern Hersteller

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Keramisches Aluminiumnitrid-Direktbonden von Wafern

Produktbeschreibung:

Es wurde ein Verfahren zum direkten Wafer-zu-Wafer-Bonden von Aluminiumnitrid (AlN) auf AlN-beschichtete Wafer entwickelt. Direktes Wafer-Bonden erfordert glatte, ebene, hydrophile Oberflächen, die mit entsprechend geladenen Wasserstoffmolekülen aktiviert werden können Vorbereitete Oberflächen. Huaqing kann AlN-Substrate mit sehr glatter (Ra ≤ 0,03 um) und flacher Oberfläche liefern.

Unsere Aluminiumnitrid-Substrate (AlN) sind in verschiedenen Größen und Dicken erhältlich. Dank eines großen und aktiven Lagerbestands können wir Ihr Teil schnell versenden, damit Sie Ihr Projekt starten können.

Unser Service:
Bitte kontaktieren Sie uns für die Anpassung. Wir können auch Keramik aus Aluminiumnitrid (AlN) mit einer Wärmeleitfähigkeit von bis zu 230 W/mK liefern

Spezifikation:

Abmessung (LxB)	φ50,8 mm, φ101,6 mm usw.
Dicke	0,38–2,0 mm
Wärmeleitfähigkeit	170-230W/m.K
Dielektrizitätskonstante	8-9 (MHz)
Schüttdichte	3,3 g/cm³
Oberflächenrauheit	Ra ≤0,03 μm auf beiden Seiten

Firmenvorteil:

Huaqing Gegründet im Jahr 2004 mit einer Investitionssumme von 80 Millionen RMB und einem Stammkapital von 40 Millionen RMB. Die AlN- und Al2O3-Keramikprodukte von Huaqing haben eine hohe Wärmeleitfähigkeit, eine niedrige Dielektrizitätskonstante, einen guten Verlustfaktor und hervorragende mechanische Eigenschaften im Vergleich zu anderen Fabriken in der Branche. AlN- und Al2O3-Keramik werden häufig in HBLED, Optokommunikation, IGBT, Leistungsgeräten, TEC und anderen High-End-Anwendungen verwendet.

Werkstattausrüstung:

Verpackung & Lieferung:
Liefern durch UPS, DHL, Fedex etc

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