Keramisches Aluminiumnitrid-Direktwafer-Bonding Hersteller

Produktdetails

Keramisches Aluminiumnitrid-Direktwaferbonden

Produktbeschreibung:

Für das direkte Wafer-zu-Wafer-Bonden von Aluminiumnitrid (AlN) auf AlN-beschichtete Wafer wurde eine Methode entwickelt. Für das direkte Wafer-Bonden sind glatte, ebene, hydrophile Oberflächen erforderlich, die mit entsprechend geladenen Wasserstoffmolekülen aktiviert werden können Vorbereitete Oberflächen. Huaqing kann AlN-Substrate mit sehr glatten (Ra≤0,03 um) und flachen Oberflächen bereitstellen.

Unsere Aluminiumnitrid-Substrate (AlN) sind in verschiedenen Größen und Stärken erhältlich. Dank eines großen und aktuellen Lagerbestands können wir Ihr Teil schnell versenden, damit Sie mit Ihrem Projekt beginnen können.

Unser Service:
Bitte kontaktieren Sie uns für eine individuelle Anpassung. Wir können auch Aluminiumnitrid (AlN)-Keramik mit einer Wärmeleitfähigkeit von bis zu 230 W/mK liefern

Spezifikation:

Abmessungen (LxB)	φ50,8 mm, φ101,6 mm usw.
Dicke	0,38–2,0 mm
Wärmeleitfähigkeit	170-230W/m.K
Dielektrizitätskonstante	8-9 (MHz)
Schüttdichte	3,3 g/cm³
Oberflächenrauheit	Ra ≤0,03 μm auf beiden Seiten

Firmenvorteil:

Huaqing wurde 2004 mit einer Gesamtinvestition von 80 Millionen RMB und einem Grundkapital von 40 Millionen RMB gegründet. Die AlN- und Al2O3-Keramikprodukte von Huaqing weisen im Vergleich zu anderen Fabriken der Branche eine hohe Wärmeleitfähigkeit, eine niedrige Dielektrizitätskonstante, einen guten Verlustfaktor und hervorragende mechanische Eigenschaften auf. AlN- und Al2O3-Keramik wird häufig in HBLED, Optokommunikation, IGBT, Leistungsgeräten, TEC und anderen High-End-Anwendungen verwendet.

Werkstatt & Ausstattung:

Verpackung & Lieferung:
Lieferung per UPS, DHL, Fedex usw

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