Direktes Waferbonden mit keramischem Aluminiumnitrid Hersteller

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Direktes Waferbonden mit keramischem Aluminiumnitrid

Produktbeschreibung:

Es wurde ein Verfahren zum direkten Wafer-zu-Wafer-Bonding von Aluminiumnitrid (AlN) auf AlN-beschichtete Wafer entwickelt. Für das direkte Wafer-Bonding sind glatte, ebene, hydrophile Oberflächen erforderlich, die mit entsprechend geladenen Wasserstoffmolekülen auf den vorbereiteten Oberflächen aktiviert werden können. Huaqing kann AlN-Substrate mit sehr glatten (Ra ≤ 0,03 µm) und ebenen Oberflächen bereitstellen.

Unsere Aluminiumnitridsubstrate (AlN) sind in verschiedenen Größen und Stärken erhältlich. Dank unseres großen und aktuellen Lagerbestands können wir Ihr Teil schnell liefern, damit Sie Ihr Projekt starten können.

Unser Service:
Bitte kontaktieren Sie uns für individuelle Anpassungen. Wir können auch Aluminiumnitrid (AlN)-Keramik mit einer Wärmeleitfähigkeit von bis zu 230 W/mK liefern.

Spezifikation:

Abmessungen (LxB)	φ50,8 mm, φ101,6 mm usw.
Dicke	0,38-2,0 mm
Wärmeleitfähigkeit	170-230W/mK
Dielektrizitätskonstante	8-9 (MHz)
Schüttdichte	3,3 g/cm³
Oberflächenrauheit	Ra ≤0,03 μm auf beiden Seiten

Unternehmensvorteile:

Huaqing wurde 2004 mit einem Investitionsvolumen von 80 Millionen RMB und einem Stammkapital von 40 Millionen RMB gegründet. Die AlN- und Al2O3-Keramikprodukte von Huaqing zeichnen sich im Vergleich zu anderen Fabriken der Branche durch eine hohe Wärmeleitfähigkeit, eine niedrige Dielektrizitätskonstante, einen guten Verlustfaktor und hervorragende mechanische Eigenschaften aus. AlN- und Al2O3-Keramik wird häufig in HBLED, Optokommunikation, IGBT, Leistungsbauelementen, TEC und anderen High-End-Anwendungen eingesetzt.

Werkstatt & Ausstattung:

Verpackung & Lieferung:
Lieferung durch UPS, DHL, Fedex usw.

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