Halbleiter-Aluminiumnitrid (AlN)-Keramikausrüstung Schlitzscheibe Hersteller

Produktdetails

Halbleiter-Aluminiumnitrid (AlN)-Keramikausrüstung Schlitzscheibe

Produktbeschreibung:

Der Herstellungsprozess von Halbleitern erfordert eine raue Umgebung, in der Plasma erzeugt wird. Daher eignet sich Aluminiumnitridkeramik mit ihrer hervorragenden Plasmabeständigkeit besonders gut für die Halbleiterherstellung. Darüber hinaus werden bei der Halbleiterherstellung flüchtige Vorläufergase, Plasma und hohe Temperaturen kombiniert, um hochwertige Filme auf die Wafer aufzubringen. Beschichtungskammern und Waferhandhabungswerkzeuge benötigen langlebige Keramikkomponenten, um diesen anspruchsvollen Umgebungen standzuhalten. Daher eignet sich die Schlitzscheibe aus Aluminiumnitridkeramik besonders gut für die Halbleiterindustrie.

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Unsere Aluminiumnitrid-Substrate (AlN) sind in verschiedenen Größen und Stärken erhältlich. Dank unseres umfangreichen Lagerbestands können wir Ihr Teil schnell liefern, damit Sie Ihr Projekt starten können.

Unser Service:

Bitte kontaktieren Sie uns für eine individuelle Anpassung.

Spezifikation:

Abmessungen (L x B)	φ170mm usw.
Dicke	7mm usw.
Wärmeleitfähigkeit	170 W/mK
Dielektrizitätskonstante	8-9 (MHz)
Schüttdichte	3,3 g/cm³
Oberflächenrauheit	Ra ≤6 μm auf beiden Seiten

Unternehmensvorteile:

Huaqing wurde 2004 mit einem Investitionsvolumen von 80 Millionen RMB und einem Stammkapital von 40 Millionen RMB gegründet. Die AlN- und Al2O3-Keramikprodukte von Huaqing zeichnen sich im Vergleich zu anderen Fabriken der Branche durch eine hohe Wärmeleitfähigkeit, eine niedrige Dielektrizitätskonstante, einen guten Verlustfaktor und hervorragende mechanische Eigenschaften aus. AlN- und Al2O3-Keramik wird häufig in HBLED, Optokommunikation, IGBT, Leistungsbauelementen, TEC und anderen High-End-Anwendungen eingesetzt.

Werkstatt & Ausstattung:

Verpackung & Lieferung:
Lieferung per UPS, DHL, Fedex usw.

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