Unser Aluminiumnitrid weist eine gute Beständigkeit gegen Oxidation, chemische Angriffe, Thermoschocks, mechanische Festigkeit, eine niedrige Dielektrizitätskonstante, einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten ähnlich dem von Siliziumkristallen und eine hohe Wärmeleitfähigkeit auf.
Produktdetails:
Elektrostatisches Spannfutter aus Aluminiumnitrid-Keramik für Halbleiter
Produktbeschreibung:
In modernen Halbleiterfertigungsprozessen werden Wafer in mehreren Schritten verarbeitet und müssen zwischen Hunderten von Prozessgeräten hin und her transportiert werden. Es wird also eine Vorrichtung zum Wafer-Klemmen benötigt. Ein elektrostatisches Spannfutter kann Wafer durch elektrostatische Absorption halten, die Absorptionskraft ist gleichmäßig und stabil und die Wafer werden nicht verzogen und verformt, was die Verarbeitungsgenauigkeit und Sauberkeit der Wafer gewährleisten kann.
Unser Service:
Unser Aluminiumnitrid-Substrat ist in verschiedenen Größen und Stärken erhältlich.
Spezifikation:
Abmessung (LxB) | φ110*110mm |
Dicke | 5mm usw. |
Wärmeleitfähigkeit | 170W/m.K |
Dielektrizitätskonstante | 8-9 (MHz) |
Schüttdichte | 3,3 g/cm³ |
Oberflächenrauheit | Ra < 0,6 μm auf beiden Seiten |
Firmenvorteil:
Huaqing wurde 2004 mit einer Gesamtinvestition von 80 Millionen RMB und einem Grundkapital von 40 Millionen RMB gegründet. Die AlN- und Al2O3-Keramikprodukte von Huaqing weisen im Vergleich zu anderen Fabriken der Branche eine hohe Wärmeleitfähigkeit, eine niedrige Dielektrizitätskonstante, einen guten Verlustfaktor und hervorragende mechanische Eigenschaften auf. AlN- und Al2O3-Keramik wird häufig in HBLED, Optokommunikation, IGBT, Leistungsgeräten, TEC und anderen High-End-Anwendungen verwendet.
Werkstattausrüstung:
Verpackung & Lieferung:
Lieferung per UPS, DHL, Fedex usw.
Warum Sie unsere Dienstleistungen benötigen, Sie wissen, dass Sie hochqualifizierte Fachleute bekommen, die über das Fachwissen und die Erfahrung verfügen, um sicherzustellen, dass Ihr Projekt ordnungsgemäß durchgeführt wird und funktioniert.
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