Unsere Aluminiumnitridkeramiken verfügen über eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit. Es hat außerdem eine niedrige Dielektrizitätskonstante und hervorragende elektrische Eigenschaften, die mit Aluminiumoxid vergleichbar sind. Die Wärmeausdehnungsrate ähnelt der von Silizium und weist eine hohe spezifische Festigkeit, geringe Dichte und Ungiftigkeit auf.
Produktdetails:
Hoch thermisch leitfähiges AlN-Isolierblatt aus Aluminiumnitrid-Keramiksubstrat
Produktbeschreibung:
AlN-Keramik wird aufgrund ihrer hervorragenden Gesamtleistung häufig in verschiedenen Bereichen der Luft- und Raumfahrtelektronik eingesetzt. Der Solarzellenflügel des Raumfahrzeugs wird mehr als zehn Kilowatt elektrische Energie erzeugen und in das Innere des Moduls übertragen. Gemäß den Anforderungen der Behörde an die Materialauswahl müssen Isoliermaterialien für die Energieübertragung über bestimmte elektrische Isolationseigenschaften und eine hohe Wärmeleitfähigkeit verfügen, aber auch über eine hervorragende mechanische Belastbarkeit verfügen.
Daher muss die Struktur von Funktionsintegrationsmaterialien ausgewählt werden. Es müssen Materialien mit hoher Wärmeleitfähigkeit ausgewählt werden, um die im Inneren angesammelte Wärme allmählich zum Kühlkörper zu leiten und so zu verhindern, dass die Innentemperatur der Komponente zu hoch wird. Unter den breitbandigen Nitrid-Halbleitermaterialien mit hoher Wärmeleitfähigkeit hat AlN eine Wärmeleitfähigkeit von 320 W/ (m.K), was höher ist als die 230 W/(m.K) von einkristallinem GaN, und AlN hat mehr Vorteile bei der Wärmeübertragung als GaN in Bezug auf die Wärmeleitung.
Dieses Bild stammt aus Development on High Thermal Conductive and Electric Insulative AlN Ceramics in Aerospace Devices
Unsere Aluminiumnitrid-Keramiksubstrate sind in verschiedenen Größen und Stärken erhältlich.
Unser Service:
Bitte kontaktieren Sie uns für eine individuelle Anpassung.
Spezifikation:
Abmessung (LxB) | 50,8*50,8mm usw. |
Dicke | 0,1–10 mm |
Wärmeleitfähigkeit | 170-230W/m.K |
Dielektrizitätskonstante | 8-9 (MHz) |
Schüttdichte | 3,3 g/cm³ |
Oberflächenrauheit | Ra < 0,6 μm auf beiden Seiten |
Firmenvorteil:
Huaqing wurde 2004 mit einer Gesamtinvestition von 80 Millionen RMB und einem Grundkapital von 40 Millionen RMB gegründet. Die AlN- und Al2O3-Keramikprodukte von Huaqing weisen im Vergleich zu anderen Fabriken der Branche eine hohe Wärmeleitfähigkeit, eine niedrige Dielektrizitätskonstante, eine gute Verlustleistung und ausgezeichnete mechanische Eigenschaften auf. AlN- und Al2O3-Keramik wird häufig in HBLED, Optokommunikation, IGBT, Leistungsgeräten, TEC und anderen High-End-Anwendungen eingesetzt.
Werkstatt & Ausrüstung:
Verpackung & Lieferung:
Lieferung per UPS, DHL, Fedex usw.
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