Das Direct Bond Copper-Verfahren ist aufgrund seiner hohen Wärmeleitfähigkeit, hohen Stromkapazität und Wärmeableitung des hochreinen Kupfers auf Keramik eine weithin akzeptierte und bewährte Technologie für leistungselektronische Produkte.
Produktdetails:
Direct Bond Kupfer-DBC-Keramiksubstrat für Halbleitermodule
Produktbeschreibung:
Bei Direct Bond Copper-Substraten handelt es sich um einen Prozess, bei dem Keramikmaterial und Kupfer bei hoher Temperatur miteinander verbunden werden. DBC-Keramiksubstrate haben sich seit vielen Jahren als hervorragende Lösung für die elektrische Isolierung und das Wärmemanagement von Hochleistungshalbleitermodulen bewährt.
Es wird erwartet, dass zunehmende Anwendungen von Leistungsmodulen in verschiedenen Bereichen wie Industrie, Automobil und Transport sowie Verbrauchergeräten die Expansion des Weltmarktes in den kommenden Jahren vorantreiben werden.
Unser Service:
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Spezifikation:
Kupfer/Keramik/Kupfer-Spezifikation (mm) | ||||||
Al2O3-DBC | 0,20/0,38/0,20 | 0,25/0,38/0,25 | 0,3/0,38/0,30 | 0,20/0,64/0,20 | 0,25/0,64/0,25 | 0,30/0,64/0,30 |
ZTA-DBC | 0,20/0,32/0,20 | 0,25/0,32/0,25 | 0,30/0,32/0,30 |
Firmenvorteil:
Huaqing wurde 2004 mit einer Gesamtinvestition von 80 Millionen RMB und einem Grundkapital von 40 Millionen RMB gegründet. Die AlN- und Al2O3-Keramikprodukte von Huaqing weisen im Vergleich zu anderen Fabriken der Branche eine hohe Wärmeleitfähigkeit, eine niedrige Dielektrizitätskonstante, einen guten Verlustfaktor und hervorragende mechanische Eigenschaften auf. AlN- und Al2O3-Keramik wird häufig in HBLED, Optokommunikation, IGBT, Leistungsgeräten, TEC und anderen High-End-Anwendungen verwendet.
Werkstattausrüstung:
Verpackung & Lieferung:
Lieferung per UPS, DHL, Fedex usw.
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